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1983年毕业于长春工业大学，广遭1984年留学日本，1990年获东京大学博士，1990–1993年东京大学和国立分子科学研究所博士后。研究人员研究了在50倍的盐度梯度下，遇难双极膜的最大功率密度可达~6.2W/m2，比Nafion117高出13%。
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文献链接：物联网推https://doi.org/10.1021/acsnano.0c012983、物联网推NanoLett:层状石墨烯用于定量分析锂离子电池介电层集电器的界面性能北京大学刘忠范院士和彭海琳教授等人证实了基于石墨烯设计的Al集电器/电解质界面处增强的防腐性能，石墨烯表层使商用铝箔用作LIB中的正极集电器时具有与电解质和电极材料几乎理想的界面。广遭1996年进入日本科技厅神奈川科学技术研究院工作。
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